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IGBT是絕緣柵雙極型晶體管。IGBT全稱“InsulatedGateBipolarTransistor”。IGBT是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應管組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。IGBT的特點是高耐壓、導通壓降低、開關速度快、...

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。那麼igbt...